陶瓷基板的耐压击穿性能是其在高功率、高电压电子封装中最关键的可靠性指标。通过选材、厚度、微观结构控制以及符合 IEC/GB 标准的系统化测试，可确保基板在实际工作条件下具备足够的绝缘裕度，避免因电击穿导致的失效。

影响陶瓷基板击穿强度的关键因素
材料本身的介电强度：不同陶瓷的本征击穿场强差异显著（如 BN > Al₂O₃）
厚度：薄膜基板厚度减小会提升单位厚度的击穿场强（SiN 15 µm → 103 kV/mm）
微观结构：晶粒尺寸、孔隙率、相界面等。
温度：高温下击穿场强下降（MLCC 在 150 °C 时从 233 V/µm 降至 207 V/µm）。
湿度：湿度升高会降低介电强度（IEC 60243 标准中对湿度的规定）。
电场形状与电极设计：边缘电场集中是击穿的主要起点；优化电极圆角、钝化层可降低局部场强。
测试波形：直流、交流、脉冲。脉冲电场下的击穿过程分为孔隙‑晶界‑晶粒三个阶段，波形不同导致阈值差异。